'制造半导体器件技术+电力半导体器件原理与应用(配光盘)一.本套技术资料共三张光盘。包含一张pdf图书光盘（里面有我们独家聘请的相关领域内的技术权威和技术专家专业编写的8-12本相关技术书籍）及二张配套生产技术工艺光盘。联系电话:15095686581。
二.图书概要及部分目录（因篇幅所限此处只列举一本的概要）：
序言
前言
第1章 绪论
1.1 电力半导体器件的基本功能和用途
1.2 电力半导体器件的基本分类和应用
1.2.1 按照电力半导体器件控制特性分类
1.2.2 按照电力半导体器件发展分类
1.2.3 按照电力半导体器件驱动方式分类
1.2.4 按照电力半导体器件中载流子性质分类
1.3 di/dt和du/dt在电力半导体器件中的特殊意义
1.4 电力半导体器件的发展
参考文献
第2章 半导体器件的物理基础
2.1 半导体与导体、绝缘体
2.2 原子中的电子能级
2.2.1 孤立原子中的电子能级
2.2.2 两个原子之间的共价键
2.3 晶体中的能带
2.3.1 晶体中的能级——能带
2.3.2 晶体中的禁带宽度
2.3.3 半导体的晶体结构
2.4 本征半导体与杂质半导体
2.4.1 电子与空穴
2.4.2 费米?狄拉克分布
2.4.3 从本征半导体到杂质半导体
2.4.4 杂质半导体的关键参数
2.5 半导体中的载流子运动
2.5.1 电离与复合
2.5.2 布朗运动
2.5.3 漂移运动
2.5.4 扩散运动
参考文献
第3章 双极型电力半导体器件基本原理
3.1 单pn结器件运行原理
3.1.1 pn结的基本结构
3.1.2 平衡条件下的pn结
3.1.3 偏置条件下的pn结
3.2 pn结的运行特性
3.2.1 pn结的击穿与穿通
3.2.2 pn结的电容效应
3.2.3 pn结器件的电路特性
3.3 pin器件运行原理
3.3.1 pin二极管基本结构和正偏置下的行为
3.3.2 pin二极管的恢复特性
3.4 三层两结器件运行原理
3.4.1 双极晶体管的基本结构
3.4.2 双极晶体管中pn结的相互作用
3.5 四层三结器件运行原理
3.5.1 晶闸管的基本结构
3.5.2 晶闸管的基本工作原理
3.5.3 gto的基本结构和基本工作原理
参考文献
第4章 单极型及混合型电力半导体器件基本原理
4.1 肖特基势垒器件
4.1.1 肖特基势垒
4.1.2 肖特基二极管的基本结构
4.1.3 肖特基二极管的基本工作原理
4.2 结型场效应器件和静电感应器件
4.2.1 结型场效应晶体管的基本结构
4.2.2 结型场效应晶体管的基本工作原理
4.2.3 静电感应晶体管的基本结构和工作原理
4.2.4 静电感应晶闸管的基本结构和工作原理
4.3 功率mosfet
4.3.1 mos结构
4.3.2 mosfet的基本结构
4.3.3 mosfet的基本工作原理
4.3.4 功率mosfet
4.4 混合型器件igbt
4.4.1 igbt的基本结构
4.4.2 igbt的基本开关原理
4.4.3 igbt结构的一些演变
4.5 混合型器件igct
4.5.1 igct的基本结构
4.5.2 igct的工作原理
参考文献
第5章 电力半导体器件的特性和参数
5.1 双稳态和双瞬态的基本工作状态
5.1.1 特性与参数关系
5.1.2 双稳态与双瞬态
5.1.3 额定值与特征值
5.2 通态特性及其参数
5.2.1 单极型器件的通态特性与参数
5.2.2 双极型和混合型器件的通态特性与参数
5.2.3 通态中的电阻及并联特性
5.3 阻态特性及其参数
5.3.1 器件的阻态特性及其参数
5.3.2 阴极(阳极)短路发射极结构
5.3.3 穿通与击穿
5.4 开通过程及参数
5.4.1 器件开通的物理过程
5.4.2 典型器件的开通过程
5.4.3 放大门极结构(ag)
5.5 关断过程及其参数
5.5.1 器件关断的物理过程
5.5.2 典型器件的关断特性
5.5.3 反向恢复特性
5.6 触发的类型和特性
5.6.1 触发过程的物理现象及参数
5.6.2 典型器件的触发特性及其参数
5.7 器件特性及系统安全工作区
5.7.1 电力半导体器件特性对比
5.7.2 变换器系统安全工作区
参考文献
第6章 电力半导体器件应用特性分析
6.1 电力半导体器件的串、并联使用
6.1.1 电力半导体器件的并联使用
6.1.2 电力半导体器件的串联使用
6.2 电力半导体器件可靠性和失效分析
6.2.1 电力半导体器件可靠性概述
6.2.2 电力半导体器件失效分析
6.2.3 igbt的失效分析
6.2.4 igct的失效分析
6.3 电力半导体器件的保护
6.3.1 电力半导体器件保护简述
6.3.2 igbt的保护
6.3.3 igct的保护
参考文献
第7章 变换器中电力半导体器件应用特性分析
7.1 电力电子变换器的基本换流行为
7.1.1 变换器的常用拓扑结构
7.1.2 理想基本拓扑单元及换流行为
7.1.3 基于电力半导体特性的变换器换流行为
7.2 吸收电路关键参数设计及优化
7.2.1 线性吸收电路的假设和定义
7.2.2 线性吸收电路的参数优化和分析
7.2.3 igbt吸收电路
7.2.4 igct吸收电路
7.3 电力半导体器件特性的相互影响范例分析
7.3.1 基于igct的三电平逆变器基本换流方式
7.3.2 三电平逆变器中器件稳态特性相互影响
7.3.3 三电平逆变器中器件暂态特性相互影响
参考文献
第8章 适用于变换器仿真的电力半导体器件建模
8.1 变换器仿真中的电力半导体器件建模
8.1.1 对变换器仿真的基本理解
8.1.2 变换器中器件建模分类
8.1.3 半导体器件的基本物理现象
8.1.4 半导体器件的基本仿真方法
8.2 适用于变换器仿真的igbt模型
8.2.1 igbt工作机理数学描述
8.2.2 igbt模型的参数提取和模型实现
8.2.3 实验和仿真
8.2.4 igbt模型的应用
8.3 适用于变换器仿真的igct模型
8.3.1 igct功能型模型简述
8.3.2 igct模型结构和参数求解
8.3.3 igct仿真与实验对比
8.3.4 igct模型的应用
8.4 变换器中的开关器件损耗计算以及热路分析
8.4.1 器件损耗及热阻模型
8.4.2 基于igbt的两电平变换器损耗分析范例
8.4.3 基于igct的三电平变换器损耗分析范例
8.4.4 不同封装器件热路分析对比
参考文献
三.本套资料配套的两张光盘目录如下：
[ [0001] 薄膜图案形成法、器件及其制法、电光学装置和电子仪器
[0002] 半导体装置及其制造方法
[0003] 半导体封装及切割槽的形成方法及其去闪光方法本发明提供一种半导体封装的去闪光技术，用于在半导体封装的制作工序中，通过树脂成型进行密封工序之后，预先对电镀部位除去闪光，具体地说，提供一种为了除去在作为难以进行去闪光处理的部位的引线框的侧面形成的侧向闪光，在侧向闪光中形成切割槽的半导体封装及其切割槽的形成方法以及具有切割槽的半导体封装中的去闪光方法。以前，通过利用超高压水流或介质等的去闪光方式也不能干净地除去闪光，而且，利用移动照射激光束的去闪光技术也难以适用的引线框的一部分侧向闪光中，提供一种通过照射激光束等照射介质将切割槽形成至引线部的半导体封装及其切割槽的形成方法，以及具有切割槽的半导体封装中的去闪光方法，从而提高去闪光的效率和品质。
[0004] 波长变换填料及其制造方法和含有这种填料的光学元件
[0005] 电子电路装置
[0006] 用于存放电气元件的托盘
[0007] 在气体环境中执行曝光处理的基片处理系统
[0008] 半导体装置和层叠型半导体装置以及它们的制造方法
[0009] 用于电子元件的扁曲型热管式集成散热器
[0010] 压电变换器及采用该变换器的电源电路和照明装置
[0011] 电极与传感器薄膜良好接触的新方法
[0012] 半导体集成电路器件
[0013] 电子元件封装结构及其制造方法
[0014] 用于影像感测器封装的透光层包装方法
[0015] 半导体装置的制造方法、电光装置、集成电路及电子设备
[0016] 铠装热电偶材料的制造方法 [0017] 半导体存储器件和便携式电子装置
[0018] 虚接地阵列的混合信号嵌入式屏蔽只读存储器及其制造方法
[0019] 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
[0020] 形成非挥发性存储元件的方法
[0021] 闸极介电层的制作方法
[0022] 发光器件的倒装结合和适用于倒装结合的发光器件
[0023] 具有校准设备的引线接合器及方法
[0024] 标准测试环境中加热半导体器件的系统和方法
[0025] 影像感测器及其封装方法
[0026] 半导体装置
[0027] 半导体器件及其制造方法，便携式电子设备和集成电路卡
[0028] 衬底支撑体及其制造方法
[0029] 太阳能电池组聚能器系统及集聚太阳能的方法
[0030] 照射激光的方法、激光照射装置和半导体器件的制造方法
[0031] 半导体多芯片封装和制备方法
[0032] 半导体器件
[0033] 倒装芯片结构中的单个半导体元件
[0034] 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
[0035] 在芯片电路的不同区域使用不同厚度的硅化物的工艺
[0036] 一种用于制造具有金属栅电极的半导体器件的方法 [0037] 制造具有不同类型的晶体管的器件的方法
[0038] 半导体存储装置、半导体装置和便携电子设备
[0039] 电子器件的封装方法
[0040] 绝缘栅铝镓氮化物/氮化钾高电子迁移率晶体管(hem)
[0041] 氮化物半导体元件
[0042] 薄膜晶体管阵列基板结构
[0043] 夹持器件
[0044] 与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器
[0045] 具有平面化层的凹陷的图象传感器和制做方法
[0046] 保护式三极管
[0047] 利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
[0048] 半导体存储装置
[0049] 氮化物半导体器件
[0050] 干燥空气供给装置
[0051] 压电体元件及其制造方法
[0052] 半导体器件及其制造方法
[0053] 图形形成方法和应用该方法的半导体器件的制造方法
[0054] 半导体存储装置及其动作方法、半导体装置及便携电子设备
[0055] 半导体器件和电源系统
[0056] 纳米双相复合结构zr-si-n扩散阻挡层材料及其制备工艺 [0057]基板保持用具、基板处理装置、基板检查装置及使用方法
[0058] 一种避免晶圆切割时微粒掉落至晶圆上的方法
[0059] 缓冲垫加工方法
[0060] 一种用于访问系统芯片外sdram的控制器及其实现方法
[0061] 在气体环境中执行曝光处理的基片处理系统
[0062] 半导体装置的制造方法及电子器件的制造方法
[0063] 降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的方法
[0064] 半导体器件的形成方法
[0065] 嵌入式存储器的闸极制程及其闸极结构
[0066] 半导体装置和层叠型半导体装置及其制造方法
[0067] 电子标签及其制造方法
[0068] 面阵电荷耦合器件超分辨率成象技术中的快速算法
[0069] 形成于其上形成多数载体组件条带或面板之不导电基板
[0070] 可获得纳米型栅的高电子迁移率晶体管的制作方法
[0071] 电致发光器件
[0072] 铜导线的无电镀方法
[0073] 封装积体电路的基板及其制造方法
[0074] 一种集成电路结构及其制造方法
[0075] 半导体装置及半导体基板
[0076] cmp用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法 [0077] 具有硅-锗电路的可编程逻辑装置以及相关方法
[0078] 具有抬高的源极/漏极结构的mos晶体管及其制造方法
[0079] 半导体组件、累积模式多重闸晶体管及其制造方法
[0080] 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
[0081] 一种避免使用中间层刻蚀阻挡层的双大马士革结构的实现方法
[0082] 半导体器件的制造方法和等离子体蚀刻装置的清洁方法
[0083] 半导体器件的制造方法
[0084] 半导体存储装置及其制造方法、半导体装置、便携电子设备以及ic卡
[0085] 散热片结构
[0086] 激光结晶系统和控制准分子激光退火制程能量密度的方法
[0087] 生成多孔有机电介质的方法
[0088] 包括金属互连和金属电阻器的半导体器件及其制造方法
[0089] 具有抗反射构件的发光元件
[0090] 一种用于场发射显示器阴极的大面积碳纳米管薄膜制备方法
[0091] 带电力变换器的太阳能电池模块
[0092] 薄膜光学器件和有机电致发光显示器件的组件及其制造方法
[0093] 高耐电压的半导体器件以及制造该器件的方法
[0094] 一种基于传输线模型的树状互连电路模拟方法
[0095] 薄膜晶体管及其制造方法
[0096] 高亮度发光二极管 [0097] 离子感应场效应晶体管及制造方法
[0098] 一种运用激光制作集成电路样品断面的方法
[0099] 采用发蓝光或紫光的二极管晶片制备发白光二极管的方法
[0100] 堆叠栅极闪存阵列
[0101] 半导体圆片快速热处理装置及使用方法
[0102] 半导体装置及其制造方法
[0103] 具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法
[0104] 自动计算增加的粒子的方法
[0105] 清洁装置
[0106] 两面发不同色光的发光单元结构
[0107] 一种提高后道铜布线抗电迁移性的方法
[0108] 无场氧化绝缘架构闪存单元及其制造方法
[0109] 半导体集成电路装置及使用该装置的音频设备
[0110] 抛光盘、抛光机及制造半导体器件的方法
[0111] 多引脚式发光二极管组件
[0112] 利用外部影响在工件的上表面和空腔表面放置的添加剂之间产生差别的电镀方法和...
[0113] cmos组件及其制造方法
[0114] 电子器件的制造方法
[0115] 用于电子元件的中间支架和用于钎焊这种中间支架的方法
[0116] 半导体器件 [0117] 形成多孔膜的组合物及其制备方法和用途
[0118] 薄膜晶体管及图像显示装置
[0119] 等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有...
[0120] 半导体装置及其制造方法
[0121] 具多厚度绝缘层上半导体的结构及其形成方法
[0122] 半导体器件
[0123] 用于650nm光纤通信的光电探测器及其制造方法
[0124] 具有高介电常数栅极绝缘层和与衬底形成****基接触的源极和漏极的晶体管
[0125] 可防止静电破坏的发光二极管元件
[0126] 巨磁阻抗材料的复合式焦耳处理方法
[0127] 量子点与量子阱耦合的半导体器件及其制造方法
[0128] 影像感测器及其封装方法
[0129] 压电变压器元件的安装结构和安装方法
[0130] 半导体器件
[0131] 附加了导热性能的树脂基材料制造的热处置器件或散热片
[0132] 利用芯片上焊盘扩大部分封装微电子器件的方法
[0133] 制造半导体封装的方法和制造半导体器件的方法
[0134] 半导体装置及其特性的评价方法
[0135] 处理装置
[0136] 压电变压器、电源电路和使用该压电变压器的照明单元 [0137]具有自行对准轻掺杂汲极结构的薄膜晶体管及其制造方法
[0138] 电压产生设备、信号电荷传送设备、固态成像设备、固态成像系统及电压产生方法
[0139] 集成电路用气密封装盖板制备方法
[0140] 制造半导体器件的方法
[0141] 场效应晶体管及其制造方法
[0142] 半导体器件封装
[0143] 设置于扩散屏上的具有宏观结构宽度的杂光发射器层的白光led
[0144] 散热装置
[0145] 半导体器件及其制造方法
[0146] 半导体器件及其制造方法
[0147] 半导体器件及其制造方法
[0148] 层状介电纳孔材料及其制备这种材料的方法
[0149] 可供辨识的平面显示器及辨识系统
[0150] 用于半导体器件或类似器件的散热器及其制造方法和实施该方法的工具
[0151] 上部电极和等离子体处理装置
[0152] 氧化锌层的形成方法以及光电器件的制造方法
[0153] 有机／高分子发光二极管
[0154] 半导体装置、粘合剂和粘合膜
[0155] 等离子体处理装置
[0156] 利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法 [0157] 半导体器件及其制造方法
[0158] 相变存储器单元器件的制备方法
[0159] 一种消除栅刻蚀横向凹槽的方法
[0160] 超薄型空间太阳电池片涂胶封装一体化机器人
[0161] 在气体环境中执行曝光处理的基片处理系统
[0162] 使用非晶硅碳罩幕蚀刻铝层的方法
[0163] 三维堆叠的电子封装件及其组装方法
[0164] 可编程数模混合器件结构
[0165] 半导体铜键合焊点表面保护
[0166] 叠层型光电元件及其制造方法
[0167] 互补金属氧化物半导体图像感测元件及制造方法
[0168] 加热大气反应器之加热系统及方法
[0169] 激光装置、激光辐射方法及半导体器件及其制造方法
[0170] 纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法
[0171] 等离子体处理装置及其控制方法
[0172] 影像感测器及其封装方法
[0173] 半导体装置
[0174] 半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置
[0175] 可增加发光作用区面积的发光元件
[0176] 半导体装置 [0177] 包含由不同方法形成的中间氧化层的mram及制造方法
[0178] 半导体器件及其制造方法
[0179] 具有成形衬底的发光二极管的结合以及用于结合具有成形衬底的发光二极管的夹头
[0180] 半导体器件
[0181] 形成绝缘性能改进的绝缘膜的方法
[0182] 电解液注入方法、湿式光电转换器件及湿式装置制造方法
[0183] 半导体装置及其制造方法
[0184] 半导体设备的制造方法以及半导体衬底的氧化方法
[0185] 阳极化衬底支撑件
[0186] 影像感测器模组及其制造方法
[0187] 低温溶剂法制备半导体量子点材料的方法
[0188] 半导体装置、电子器件、电子机器及半导体装置的制造方法
[0189] 发光的光学半导体主体
[0190] 光敏器件和具有内电路系统的光敏器件
[0191] 半导体器件的制造方法
[0192] 错位引线键合式影像感测器封装方法
[0193] 图案及其形成法、器件及其制法、电光学装置、电子仪器
[0194] 非易失性存储集成电路
[0195] 新结构散热器
[0196] 使用纳米管带子的机电式存储阵列及其制法 [0197] 固态成像器件
[0198] 固态成像器件
[0199] 一种有机压电薄膜极化方法
[0200] 半导体制造装置用保持体
[0201] 具有有机聚合物栅极绝缘层的有机半导体晶体管的制造方法
[0202] 金属导线的蚀刻方法
[0203] 半导体器件及其制造方法
[0204] 铅/锡及无铅焊料的小间距倒装焊凸点模板印刷制备技术
[0205] 插塞的形成方法
[0206] 薄膜晶体管结构及其制造方法
[0207] 一种超导技术的断路器及其制备方法
[0208] 通过电子附着去除表面氧化物的电极部件
[0209] sic双极半导体器件的退化最小化
[0210] 各向异性导电性粘接剂、装配方法、电光装置模块和电子设备
[0211] 含磷二氧化硅乳胶源扩散制备大功率半导体器件的方法
[0212] 具有集成的散热片和增加层的微电子封装件
[0213] 用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
[0214] 串行mram组件
[0215] 绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法
[0216] 改进功率效率的彩色有机发光二极管显示装置 [0217] 半导体发光设备
[0218] 薄膜晶体管结构及其制作方法
[0219] 微孔化学机械抛光垫
《电力半导体器件原理与应用》由袁立强、赵争鸣、宋高升、王正元编著，力求从电力半导体器件应用的角度来诠释和分析其基本原理和应用特性。全书共分为8章，第1章主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途；第2章介绍半导体器件物理基础，包括半导体与导体、绝缘体，原子中的电子能级，晶体中的能带等；第3章阐述双极型电力半导体器件基本原理，包括单pn结器件及多pn结特性；第4章介绍单极型及混合型器件电力半导体器件基本原理，涉及结型场效应器件、静电感应器件、功率mosfet器件、混合型器件igbt和混合型器件igct等；第5章叙述电力半导体器件的特性和参数，包括双稳态和双瞬态的基本工作状态，通态特性、阻态特性、开通过程、关断过程、触发特性以及系统安全工作区等；第6章重点分析了电力半导体器件应用特性，包括电力半导体器件的串、并联使用、电力半导体器件可靠性和失效分析以及电力半导体器件的保护等；第7章进一步分析了变换器中电力半导体器件应用特性，着重考虑电力半导体器件与变换器中其他因素之间的关系；第8章介绍适用于变换器仿真的电力半导体器件建模，以为变换器主回路优化设计所用。
《电力半导体器件原理与应用》可作为电机系统及其控制、电力电子与电力传动等学科研究生专业课程的参考书，也可供从事电力电子技术应用的科技人员和有关科技管理人员参考。
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